產品介紹
Opto Diode 的近紅外 (NIR) 高功率 LED 專為需要準確、高輸出紅外照明的苛刻應用而設計。這些器件在 700 至 1300 nm 範圍內發光，具有優良的輻射測量性能、光譜穩定性和長工作壽命。我們的高功率近紅外 LED 單芯片輸出功率高達 250 mW (DC)，多芯片陣列輸出功率高達 1000 mW (DC)，是夜視、監控、工業傳感和其他關鍵任務係統的適配之選。我們提供標準和定製配置，以滿足您對波長、輸出和封裝的確切要求。
性能特點
現有的高功率輸出
880 nm峰值發射
九個芯片串聯
寬發射角
電氣隔離外殼
技術參數
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產地 |
美國 |
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25 ℃ 時的電光特性 |
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總輸出功率，Po IF = 300 mA |
390 至 500 mW |
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總輸出功率，Po IF = 5 A |
6500 mW |
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峰值發射波長，λP IF = 50 mA |
880 nm |
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50 % 時的光譜帶寬，Δλ IF = 50 mA |
80 nm |
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半強度光束角，θ IF = 50 mA |
120 ° |
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正向電壓，VF IF = 300 mA |
13.5 至 15 V |
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反向擊穿電壓，VR IR = 10 µA |
5 至 30 V |
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電容，C VR = 0 V |
11 pF |
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上升時間 |
3 µsec |
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下降時間 |
3 µsec |
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25 ℃ 外殼條件下的Max額定值 |
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功率耗散 |
6 W |
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連續正向電流 |
400 mA |
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峰值正向電流（10 µs，400 Hz） |
5 A |
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反向電壓 |
5 V |
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引線焊接溫度（距外殼 1/16 英寸，10 s） |
260 ℃ |
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熱參數 |
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存儲和工作溫度範圍 |
-55 至 100 ℃ |
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Max結溫 |
100 ℃ |
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熱阻，RTHJA1 |
60 ℃/W 典型值 |
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熱阻，RTHJA2 |
16 ℃/W 典型值 |
產品尺寸
產品應用
生物設備、航空航天、科學研究與儀器儀表
津公網安備12010102000946號
