Vishay采用 PowerPAK 10x12 封裝的 40 V MOSFET

近日，Vishay 推出其新一代 40 V TrenchFET® 四代 N 溝道功率 MOSFET——SiJK140E
，該器件采用先進的 PowerPAK® 10×12 封裝，在工業應用場景中展現出優異的電氣性能。相比同規格的競品
，其導通電阻顯著降低達 32%，相較於傳統 TO-263-7L 封裝的 40 V MOSFET
，更是大幅下降 58%，有助於係統實現更高效率與功率密度。

在 10 V 驅動電壓下，SiJK140E 的典型導通電阻僅為 0.34 mΩ，有效降低了導通損耗
，從而提升整體能效。同時，該器件具備出色的熱管理能力，結殼熱阻（RthJC）典型值低至 0.21 °C/W

，進一步增強了係統的散熱性能。得益於更低的導通電阻，工程師可采用單一 SiJK140E 替代以往需並聯兩顆 MOSFET 的設計方案，不僅簡化了電路結構，還提升了係統可靠性，並有效延長了平均故障間隔時間（MTBF）。

該 MOSFET 采用無線鍵合（BWL）結構，大幅降低了寄生電感，提升了電流承載能力。傳統打線鍵合（BW）封裝的 TO-263-7L 器件通常受限於 200 A 電流，而 SiJK140E 能夠支持高達 795 A 的連續漏極電流
，並具備優越的安全工作區（SOA）性能，為高功率密度設計提供了更多可能。此外
，PowerPAK 10×12 封裝尺寸僅為 120 mm²
，比 TO-263-7L 節省 27% 的 PCB 麵積
，封裝厚度也縮減了 50%，更適用於空間緊湊型設備。

SiJK140E 適用於同步整流
、熱插拔控製及 OR-ing 功能等多種場景

，可廣泛用於電機驅動
、電動工具
、焊接與等離子切割設備、電池管理係統、工業機器人及 3D 打印機等工業與消費類產品。為提升係統抗幹擾能力，該標準級 MOSFET 設有 2.4 V 的高柵極閾值電壓，可有效防止共通現象。產品符合 RoHS 標準，不含鹵素，並已通過 100% Rg 與 UIS 測試
，確保每一顆器件均具備良好的可靠性與一致性。